KIA3204A场效应管采用超高密度电池设计，漏源击穿电压40V，漏极电流100A，超低...KIA3204A场效应管采用超高密度电池设计，漏源击穿电压40V，漏极电流100A，超低导通电阻，RDS（开启）=3.8 mΩ@VGS=10V，减小损耗；100%雪崩测试、无铅和绿色器件可...
以此作为单结晶体管电源，其目的是使单结晶体管振荡器在每个梯形波结束时刻，由...以此作为单结晶体管电源，其目的是使单结晶体管振荡器在每个梯形波结束时刻，由于电源电压为零，使电容上电压亦为零，在下一个梯形波开始时刻，电容c均是从零压开...
单结晶体管（UJT）又称基极二极管，只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端...单结晶体管（UJT）又称基极二极管，只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件，早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶...
上拉电阻的目的是为了保证GPIO（低电平有效）无信号输入时输入端的电平为高电平...上拉电阻的目的是为了保证GPIO（低电平有效）无信号输入时输入端的电平为高电平，相反的，下拉电阻是为了保证GPIO（高电平有效）无信号输入时输入端的电平为低电平...
MOS管是单载流子（“多数载流子”）参与导电的器件，是单极型晶体管。在MOSFET...MOS管是单载流子（“多数载流子”）参与导电的器件，是单极型晶体管。在MOSFET中，当施加适当的电压时，多数载流子（电子或空穴，取决于半导体类型）在半导体表面...
