衬底材料对MOSFET的阈值电压有显著影响。例如，普通的MOSFET衬底材料为硅晶片，...衬底材料对MOSFET的阈值电压有显著影响。例如，普通的MOSFET衬底材料为硅晶片，但在高温、高电场下易发生击穿，从而降低了阈值电压。因此，一些高温处理的MOSFET采...
KNH9120A场效应管采用专有新型平面技术，漏源击穿电压200V，漏极电流40A，RDS（...KNH9120A场效应管采用专有新型平面技术，漏源击穿电压200V，漏极电流40A，RDS（ON）=3.6Ω（典型值）@VGS=10V，低导通电阻有助于减少功率损耗和发热，具有低栅极电...
MOSFET的关断时间与其栅极电容（Cgs）有关。减小栅极电容可以减少充放电时间，...MOSFET的关断时间与其栅极电容（Cgs）有关。减小栅极电容可以减少充放电时间，从而加速关断过程。这可以通过优化布局、使用更小的栅极面积或选择具有更低栅极电容...
提高驱动电路提供的栅极驱动电压和电流，增大驱动强度可以加速MOSFET的开启和关...提高驱动电路提供的栅极驱动电压和电流，增大驱动强度可以加速MOSFET的开启和关断过程。减小栅极驱动电阻Rg可以提供更大的瞬态电流，从而加快MOSFET的开关速度。而...
KNF4390A采用专有新型平面技术，漏源击穿电压900V，漏极电流4A，能够承受高达9...KNF4390A采用专有新型平面技术，漏源击穿电压900V，漏极电流4A，能够承受高达900伏特的电压，适用于需要高耐压的应用场景，RDS（ON）=3.6Ω（典型值）@VGS=10V，低...
