LDO外围器件少，电路简单，成本低；DC-DC外围器件多，电路复杂，成本高； LDO...LDO外围器件少，电路简单，成本低；DC-DC外围器件多，电路复杂，成本高； LDO负载响应快，输出纹波小；DC-DC负载响应比LDO慢，输出纹波大； LDO效率低，输入输出...
当MOS关断时，谐振电压波形在B点产生电压尖峰，此时UB高于UA（初始时刻电容C两...当MOS关断时，谐振电压波形在B点产生电压尖峰，此时UB高于UA（初始时刻电容C两端无电压差），则UB通过二极管D向电容C充电。Uds电压升高的本质是初级绕组漏感瞬变电...
碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高...碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。碳化硅器件有更耐高压，在开关频率、散热能力...
在环路设计时，Loop1、2、3的环路面积要尽量小，在Loop1中，走线还应尽量粗以优...在环路设计时，Loop1、2、3的环路面积要尽量小，在Loop1中，走线还应尽量粗以优化效率，在Loop3中，VDD电容C3应紧贴芯片。 在GND走线设计时，辅助绕组应直接连接...
设计补偿部分，先确定目标带宽，然后再设计补偿部分，使在目标带宽时的相位裕量...设计补偿部分，先确定目标带宽，然后再设计补偿部分，使在目标带宽时的相位裕量大于45°，幅值裕度不管用上面哪种补偿方式都是自动满足的，所以设计时一般不用特别...
